សម្ភារៈស៊ីលីកុន គឺជាសម្ភារៈមូលដ្ឋាន និងស្នូលបំផុតនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម សារធាតុ semiconductor ។ដំណើរការផលិតស្មុគ្រស្មាញនៃសង្វាក់ឧស្សាហកម្ម semiconductor ក៏គួរតែចាប់ផ្តើមពីការផលិតសម្ភារៈស៊ីលីកុនជាមូលដ្ឋានផងដែរ។
Monocrystalline silicon ពន្លឺសួនពន្លឺព្រះអាទិត្យ
ស៊ីលីកុន Monocrystalline គឺជាទម្រង់មួយនៃស៊ីលីកូនធាតុ។នៅពេលដែលសារធាតុស៊ីលីកុនរលាយរឹង នោះអាតូមស៊ីលីកុនត្រូវបានរៀបចំជាបន្ទះពេជ្រចូលទៅក្នុងស្នូលគ្រីស្តាល់ជាច្រើន។ប្រសិនបើស្នូលគ្រីស្តាល់ទាំងនេះលូតលាស់ទៅជាគ្រាប់ធញ្ញជាតិដែលមានទិសដូចគ្នានៃប្លង់គ្រីស្តាល់ នោះគ្រាប់ធញ្ញជាតិទាំងនេះនឹងត្រូវបានបញ្ចូលគ្នាស្របគ្នាដើម្បីក្លាយជាគ្រីស្តាល់ទៅជាស៊ីលីកុន monocrystalline ។
ស៊ីលីកុន Monocrystalline មានលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តនៃលោហៈ quasi និងមានចរន្តអគ្គិសនីខ្សោយ ដែលកើនឡើងជាមួយនឹងការកើនឡើងសីតុណ្ហភាព។ទន្ទឹមនឹងនេះស៊ីលីកុន monocrystalline ក៏មានចរន្តអគ្គិសនីពាក់កណ្តាលសំខាន់ផងដែរ។ស៊ីលីកុន monocrystalline ដ៏បរិសុទ្ធ គឺជាសារធាតុ semiconductor ខាងក្នុង។ចរន្តនៃស៊ីលីកុន monocrystal សុទ្ធជ្រុលអាចត្រូវបានកែលម្អដោយការបន្ថែមធាតុដាន ⅢA (ដូចជា boron) ហើយ P-type silicon semiconductor អាចត្រូវបានបង្កើតឡើង។ដូចជាការបន្ថែមធាតុដាន ⅤA (ដូចជាផូស្វ័រ ឬអាសេនិច) ក៏អាចធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវកម្រិតនៃចរន្ត ការបង្កើត N-type silicon semiconductor ។
ប៉ូលីស៊ីលីកុនគឺជាទម្រង់នៃស៊ីលីកុនធាតុ។នៅពេលដែលសារធាតុស៊ីលីកុនរលាយក្លាយជារឹងនៅក្រោមលក្ខខណ្ឌនៃ supercooling អាតូមស៊ីលីកុនត្រូវបានរៀបចំទៅជាស្នូលគ្រីស្តាល់ជាច្រើនក្នុងទម្រង់ជាបន្ទះពេជ្រ។ប្រសិនបើស្នូលគ្រីស្តាល់ទាំងនេះលូតលាស់ទៅជាគ្រាប់ធញ្ញជាតិដែលមានទិសគ្រីស្តាល់ខុសៗគ្នា នោះគ្រាប់ធញ្ញជាតិទាំងនេះបញ្ចូលគ្នា និងក្លាយជាគ្រីស្តាល់ទៅជាប៉ូលីស៊ីលីកុន។វាខុសពីស៊ីលីកុន monocrystalline ដែលប្រើក្នុងគ្រឿងអេឡិចត្រូនិច និងកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ និងពីស៊ីលីកុនអាម៉ូហ្វូស ដែលប្រើក្នុងឧបករណ៍ស្តើង និងពន្លឺសួនច្បារ កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ
ភាពខុសគ្នានិងការតភ្ជាប់រវាងទាំងពីរ
នៅក្នុង monocrystalline silicon រចនាសម្ព័ន្ធស៊ុមគ្រីស្តាល់គឺឯកសណ្ឋានហើយអាចត្រូវបានសម្គាល់ដោយរូបរាងខាងក្រៅឯកសណ្ឋាន។នៅក្នុង monocrystalline silicon បន្ទះគ្រីស្តាល់នៃគំរូទាំងមូលគឺបន្ត និងមិនមានព្រំដែនគ្រាប់ធញ្ញជាតិ។គ្រីស្តាល់តែមួយដ៏ធំគឺកម្រមានណាស់នៅក្នុងធម្មជាតិ ហើយពិបាកក្នុងការធ្វើនៅក្នុងមន្ទីរពិសោធន៍ (សូមមើលការកែច្នៃឡើងវិញ)។ផ្ទុយទៅវិញ ទីតាំងនៃអាតូមនៅក្នុងរចនាសម្ព័ន្ធអាម៉ូហ្វូស ត្រូវបានដាក់កម្រិតលើលំដាប់លំដោយខ្លី។
ដំណាក់កាល Polycrystalline និង subcrystalline រួមមានគ្រីស្តាល់តូចៗ ឬមីក្រូគ្រីស្តាល់មួយចំនួនធំ។ប៉ូលីស៊ីលីកុនគឺជាវត្ថុធាតុដែលបង្កើតឡើងដោយគ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនតូចៗជាច្រើន។កោសិកា Polycrystalline អាចស្គាល់វាយនភាពដោយឥទ្ធិពលដែកសន្លឹកដែលអាចមើលឃើញ។ថ្នាក់ semiconductor រួមទាំង polysilicon ថ្នាក់ទីថាមពលព្រះអាទិត្យត្រូវបានបំប្លែងទៅជា monocrystalline silicon មានន័យថាគ្រីស្តាល់ដែលភ្ជាប់ដោយចៃដន្យនៅក្នុង polysilicon ត្រូវបានបំប្លែងទៅជាគ្រីស្តាល់តែមួយដ៏ធំ។ស៊ីលីកុន Monocrystalline ត្រូវបានប្រើដើម្បីបង្កើតឧបករណ៍មីក្រូអេឡិចត្រូនិចភាគច្រើនដែលមានមូលដ្ឋានលើស៊ីលីកុន។Polysilicon អាចទទួលបានភាពបរិសុទ្ធ 99.9999% ។ប៉ូលីស៊ីលីកុនសុទ្ធបំផុតក៏ត្រូវបានគេប្រើនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor ដូចជាកំណាត់ polysilicon ប្រវែងពី 2 ទៅ 3 ម៉ែត្រ។នៅក្នុងឧស្សាហកម្មមីក្រូអេឡិចត្រូនិច ប៉ូលីស៊ីលីកុនមានកម្មវិធីទាំងម៉ាក្រូ និងមីក្រូ។ដំណើរការផលិតស៊ីលីកុន monocrystalline រួមមានដំណើរការ Czeckorasky ការរលាយតំបន់ និងដំណើរការ Bridgman ។
ភាពខុសគ្នារវាង polysilicon និង monocrystalline silicon ត្រូវបានបង្ហាញជាចម្បងនៅក្នុងលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្ត។នៅក្នុងលក្ខខណ្ឌនៃលក្ខណៈសម្បត្តិមេកានិចនិងអគ្គិសនី polysilicon គឺទាបជាង monocrystalline silicon ។Polysilicon អាចត្រូវបានប្រើជាវត្ថុធាតុដើមសម្រាប់ការគូរ monocrystalline silicon ។
1. នៅក្នុងលក្ខខណ្ឌនៃ anisotropy នៃលក្ខណៈសម្បត្តិមេកានិច, លក្ខណៈសម្បត្តិអុបទិកនិងលក្ខណៈសម្បត្តិកម្ដៅ, វាគឺឆ្ងាយតិចជាងជាក់ស្តែងជាង monocrystalline silicon
2. បើនិយាយពីលក្ខណៈសម្បត្តិអគ្គិសនី ចរន្តអគ្គិសនីនៃស៊ីលីកុន polycrystalline គឺទាបជាងស៊ីលីកុន monocrystalline ឆ្ងាយណាស់ ឬសូម្បីតែស្ទើរតែគ្មានចរន្តអគ្គិសនី។
3, នៅក្នុងលក្ខខណ្ឌនៃសកម្មភាពគីមី, ភាពខុសគ្នារវាងទាំងពីរគឺតូចណាស់, ជាទូទៅប្រើ polysilicon បន្ថែមទៀត
ពេលវេលាផ្សាយ៖ ២៤-មីនា-២០២៣